SemiHow MOSFET性能特點及技術優(yōu)勢

核心性能優(yōu)勢

• 超結技術提升效率：采用多層外延工藝，相比傳統(tǒng)溝槽工藝，EMI（電磁干擾）控制更優(yōu)，抗沖擊能力強，適用于高壓高頻場景。

• ESD保護與穩(wěn)定性：70mΩ以上型號內置ESD保護二極管，實測ESD耐受能力可達2400V，顯著提升系統(tǒng)抗浪涌和靜電可靠性。

• 高頻開關性能：電子輻照產品反向恢復時間（trr）控制在200ns以內，開關損耗低，適合高頻電源拓撲（如PFC、LLC諧振電路）。

產品應用與市場驗證

• 主流客戶覆蓋：已批量供貨三星、華為、LG、飛利浦等國際品牌，應用場景包括充電器、電源適配器、光伏逆變器等。

  
  

技術創(chuàng)新與封裝優(yōu)化

• 無晶圓模式靈活性：專注設計與研發(fā)，依托代工資源實現(xiàn)快速迭代，超結MOSFET覆蓋600V~900V電壓范圍，產能達50000片/月。

• 適配國際標準：封裝設計遵循IPC標準，兼容國際市場需求，可直接對接全球供應鏈體系。

對比競品的差異化亮點

適用場景推薦

1. 消費電子電源：如三星、華為快充充電器，需兼顧效率與EMI合規(guī)。

2. 工業(yè)驅動：電機控制器、焊接設備中的高頻逆變電路。

3. 新能源領域：光伏逆變器、儲能系統(tǒng)的DC/DC轉換模塊。

SemiHow通過聚焦超結技術和可靠性設計，其MOSFET在中高壓功率轉換場景中具備較強競爭力，尤其適合對成本敏感且要求高效穩(wěn)定的量產型項目。