產(chǎn)品介紹揚(yáng)杰科技推出一系列TO-247和TOLL N600V/650V SJ MOSFET，產(chǎn)品采用深溝槽技術(shù)與多層外延技術(shù)制造，具有較低的導(dǎo)通電阻Rds和柵極電荷Qg，明顯降低導(dǎo)通和開關(guān)損耗，可以支持更高頻率與動態(tài)響應(yīng),非常適合應(yīng)用于高功率密度和高效率電力電子變換系統(tǒng)。產(chǎn)品特點(diǎn)
1.采用深溝槽與多層外延技術(shù), MOS的內(nèi)阻低，開關(guān)特性優(yōu)；
2.采用TOLL封裝、TO-247封裝，適用于大功率應(yīng)用；
3.UIS能力強(qiáng), Qg與Rds參數(shù)更優(yōu)，可以支持更高頻率與動態(tài)響應(yīng)
型號
YJN48C60HJ JYJT33C60HJ
產(chǎn)品介紹揚(yáng)杰科技推出一系列TO-247和TOLL N600V/650V SJ MOSFET，產(chǎn)品采用深溝槽技術(shù)與多層外延技術(shù)制造，具有較低的導(dǎo)通電阻Rds和柵極電荷Qg，明顯降低導(dǎo)通和開關(guān)損耗，可以支持更高頻率與動態(tài)響應(yīng),非常適合應(yīng)用于高功率密度和高效率電力電子變換系統(tǒng)。產(chǎn)品特點(diǎn)
1.采用深溝槽與多層外延技術(shù), MOS的內(nèi)阻低，開關(guān)特性優(yōu)；
2.采用TOLL封裝、TO-247封裝，適用于大功率應(yīng)用；
3.UIS能力強(qiáng), Qg與Rds參數(shù)更優(yōu)，可以支持更高頻率與動態(tài)響應(yīng)
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