LSB65R070GF龍騰MOS管基本參數與封裝信息

LSB65R070GF是龍騰半導體（LONTEN）推出的一款N溝道高壓平面MOSFET，其核心參數如下：

• 電壓規格：650V（VDSS）

• 電流規格：47A（連續導通電流，TC=100°C時）

• 導通電阻：0.07Ω（RDS(on)，MAX值）

• 封裝形式：TO-247，屬于大功率器件常用封裝，具備良好的散熱性能。

LSB65R070GF的技術特性與優勢

核心技術優勢

• 超結技術（Superjunction）：采用先進的超結工藝，實現低導通電阻（RDS(on)）與高耐壓的平衡，適合高頻開關應用。

• 低柵極電荷（Qg）：典型值Qg=66nC，可降低驅動損耗，提升開關效率，尤其適用于高頻電源拓撲。

• 高雪崩能量（EAS）：增強抗浪涌能力，提升電路可靠性。

性能優化方向

• di/dt能力增強：針對諧振拓撲（如LLC、CLLC）優化，降低開關過程中的電流變化率干擾。

• 抗雪崩能力：優化EAS參數，適應電源系統中的瞬態過壓場景。

LSB65R070GF的應用領域

基于其650V耐壓和47A電流特性，該器件主要應用于中大功率電源系統，包括：

• 開關電源（SMPS）：如服務器電源、工業電源。

• 功率因數校正（PFC）：高壓AC-DC轉換中的功率校正模塊。

• 逆變器：光伏逆變器、儲能系統逆變環節。

• 不間斷電源（UPS）：作為主功率開關器件。

龍騰LSB65R070GF的選型與替代建議

同類產品對比

龍騰半導體同系列高壓MOS管可根據電壓、電流需求選型，例如：

替代兼容性

該器件可兼容其他品牌同規格超結MOSFET，如英飛凌IPW65R070C6、安森美FCH47N65F等，需注意封裝與柵極電荷參數匹配。

供應與技術支持信息

• 貨源保障：由龍騰授權代理提供正品現貨，如東莞市美瑞電子有限公司。

• 技術服務：支持快速樣品申請、數據手冊下載及選型指導，可聯系代理-美瑞電子獲取詳細資料。

LSB65R070GF憑借高耐壓、低損耗特性，在大功率電源系統中具備顯著的性能優勢，尤其適合對效率和可靠性要求較高的工業與能源領域應用。