LSD65R650GMB

龍騰半導體LSD65R650GMB功率MOSFET產品介紹
產品概述

LSD65R650GMB是龍騰半導體(LONTEN)推出的一款高性能N溝道功率MOSFET，采用先進的超結(Super Junction)技術制造。該產品屬于龍騰半導體650V高壓MOSFET系列，專為高效率電源轉換應用而設計。

技術參數
參數名稱 參數值 備注
漏源電壓(Vdss) 650V 最大額定值
連續漏極電流(Id) 7A 25°C環境溫度下
柵源極閾值電壓 4.5V @ 250uA 典型值
漏源導通電阻(RDS(on)) 650mΩ @10V,3.5A
最大功率耗散 28W Ta=25°C時
封裝形式 TO-220F 符合行業標準
技術類型 超結VDMOS Super Junction技術

注：以上參數基于類似型號LSD65R650HT的技術規格整理，建議聯系龍騰半導體獲取LSD65R650GMB的精確參數。

產品特點

高效率設計?

采用超結(Super Junction)技術，顯著降低導通電阻
相比傳統平面MOSFET，導通損耗降低約22.3%
優化的柵極電荷特性，減少開關損耗

高可靠性?

100%通過UIS(Unclamped Inductive Switching)測試
符合RoHS環保規范，無鉛無鹵素
優化的熱設計，提高高溫工作穩定性

應用友好性?

標準TO-220F封裝，便于安裝和散熱設計
與行業主流MOSFET引腳兼容
簡化電路設計，降低系統成本
應用領域

LSD65R650GMB適用于多種高效率電源轉換場景：

應用類別 典型應用
消費電子 LED驅動電源、適配器、PD快充
計算機 服務器電源、PC電源
工業電子 開關電源、工業電源
新能源 光伏逆變器輔助電源

特別適用于需要高效率、高功率密度的電源設計場景。

技術優勢

與傳統平面MOSFET對比?

克服了導通電阻隨擊穿電壓急劇增大的缺點
保持輸入阻抗高、開關速度快的特點
顯著提升系統整體效率

與常規超結MOSFET對比?

優化的內部電場分布設計
增強的耐壓能力和可靠性
改進的開關特性，降低EMI干擾

市場定位?

填補國產高端功率半導體器件空白
在650V高壓應用中具有競爭優勢
性價比優于同類進口產品
使用建議

電路設計注意事項?

建議工作電壓不超過520V，留足設計余量
柵極驅動電阻推薦值10-22Ω，平衡開關速度與EMI
確保良好的散熱條件，建議使用散熱片

典型應用電路?

適用于反激式、正激式等開關電源拓撲
可與PWM控制器如L6565等配合使用
在LLC諧振轉換器中表現優異

可靠性保障?

避免超過最大額定參數使用
注意PCB布局，減少寄生參數影響
建議進行老化測試驗證長期可靠性
制造商背景

龍騰半導體有限公司是一家專注于新型功率半導體器件研發的高新技術企業，通過ISO9001-2015質量體系認證。公司在功率半導體領域擁有83項專利，并參與制定了超結功率MOSFET國家行業標準(SJ/T 9014.8.2-2018)。

公司產品線涵蓋超結MOSFET、IGBT、快恢復二極管等多個系列，廣泛應用于消費電子、工業電源、新能源汽車等領域。龍騰半導體建有國內一流的研發中心和應用測試實驗室，持續推動功率半導體技術創新。